项目概况： 

       随着第三代半导体材料氮化镓的突破和超高亮度蓝、绿、红、白光二极管的问世，半导体采用LED作为新光源，同样亮度下，耗电仅为普通白炽灯的1/10，使用寿命10万小时，是白炽灯的30倍。半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也是大势所趋。

       本项目主要解决新型超高亮度AlGaInP四元系外延片产业化中的多量子阱稳定生长及进一步提高发光效率等多项关键技术问题，形成成本控制、成品率控制、技术管理规范、设备维护等规范。着重解决发光二极管产业化的稳定性，重复性以及均匀性等关键问题。

       目前国内高性能发光二极管外延片的生产量较少，不能满足芯片生产公司的市场需求，这主要是由于外延片生产技术门槛较高的原因。国内也有几家公司在进行发光二极管外延片的生产，但从总体上看高档高亮度发光二极管外延片与芯片的生产基本上为国外厂商所垄断。

市场化前景：

       半导体灯采用发光二极管作为新光源，同样亮度下，耗电仅为普通白炽灯的1/10，使用寿命10万小时，是白炽灯的30倍，由于半导体照明具有光电转换效率高、节能、环保、长寿命、免维护、影响速度快等优点，可广泛应用于白光通用照明、装饰照明、汽车等各类运输工具照明、交通信号显示、背景显示、大屏幕、特种工作照明、军用照明及旅游、轻工产品等各个领域。

预期效果：

       本项目完成后，红光LED外延品制备的芯片，在20毫安工作电流下，发光波长在625纳米左右，发光强度大于120mcd，正向电压小于2.2伏；黄绿光LED外延品制备的芯片，发光波长为569纳米左右，发光强度大于5mcd。预计，项目完成后，可实现年产值7000万元，实现利税500万元以上。