本项目所开发的小体积、低成本、高性能MEMS Pirani传感器芯片采用单晶硅丝作为加热以及温敏结构，具有良好的环境适应性；采用晶圆级封装技术实现一种独特环绕热沉结构，有效的拓展了芯片的高真空段探测能力；使用全桥差分输出形式，有效的抑制器件的温漂特性与噪声；利用双敏感单元融合方法，进一步的拓展了器件的线性响应区间。器件采用一套CMOS兼容的8英寸工艺，每片晶圆可产出2.7万颗芯片，具有良好的成本优势。该真空规可广泛运用于各类真空系统中对腔内低、中真空度的检测，覆盖诸多行业，具有广阔的市场前景。产品的进一步产业化可有效的实现国产传感器的替代，依靠更合理的售价大幅度拓展智能真空传感器的使用领域与市场。预计在此产品产业化后的3年内预计可实现产值超过1亿元。